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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-262-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续直流电流:250 A
Rds上漏源导通电阻:1.8毫欧
Vgs th-栅源极阈值电压:3.9 V
Qg-萘甲酸:225 nC
MOSFET最小工作温度:-55 C
MOSFET最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:230 W
通道模式:增强
商标名:StrongIRFET
封装:Tube
配置:单
高度:9.45毫米
长度:10.2毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:4.5毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-预期:160 S
下降时间:53 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:70 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:78 ns
典型中断时间:19 ns
零件号别名:IRFSL7437PBF SP001578458
单位重量:2.387 g
应用领域
•有刷电机驱动应用
•BLDC电机驱动器应用
•电池供电电路
•半桥和全桥拓扑
•同步整流器的应用
•谐振模式电源
•ORing和冗余电源开关
•DC / DC和AC / DC转换器
•DC / AC逆变器
好处
•改进的门,雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
•无卤素
最大绝对额定值
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
250G) |
A |
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
180 |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited) |
195 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current <I |
1000 |
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
230 |
W |
|
Linear Derating Factor |
1.5 |
W/°C |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
dv/dt |
Peak Diode Recovery © |
3.0 |
V/ns |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10lbf' in (1.1N' m) |
IRFSL7437PBF
IR
TO-263
无铅环保型
直插式
卷带编带包装