IRF2907ZPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：75 V
Id-连续直流电流：170 A
Rds上漏源导通电阻：4.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：180 nC
Pd-功率耗散：330 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF2907ZPBF SP001571154
单位重量：6 g
特征
先进的工艺技术
超低导通电阻
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许最大Tjmax
无铅
描述
该HEXFET®功率MOSFET采用了最新的
处理技术达到极低
每个硅面积的导通电阻。附加功能
该设计的工作温度为175°C
温度高，切换速度快且改善
重复雪崩等级。这些功能相结合
使这个设计非常有效，
可靠的装置，可广泛用于
应用程序。

最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
ID @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	170	A
ID @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (See Fig. 9)	120
ID @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Wirebond Limited)	160 *
IDM	Pulsed Drain Current CD	680
PD @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	300	W
	Linear Derating Factor	2.0	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) Q)	270	mJ
E_AS (tested)	Single Pulse Avalanche Energy Tested Value 0	690	mJ
IAR	Avalanche Current CD	See Fig.12a,12b,15,16	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy ®	See Fig.12a,12b,15,16	mJ
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRF2907ZPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装