IRF2907ZPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:75 V
Id-连续直流电流:170 A
Rds上漏源导通电阻:4.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:180 nC
Pd-功率耗散:330 W
封装:Tube
配置:单
高度:15.65毫米
长度:10毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:4.4毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF2907ZPBF SP001571154
单位重量:6 g
特征
先进的工艺技术
超低导通电阻
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许最大Tjmax
无铅
描述
该HEXFET®功率MOSFET采用了最新的
处理技术达到极低
每个硅面积的导通电阻。 附加功能
该设计的工作温度为175°C
温度高,切换速度快且改善
重复雪崩等级。 这些功能相结合
使这个设计非常有效,
可靠的装置,可广泛用于
应用程序。

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

170

 

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig. 9)

120

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wirebond Limited)

160 *

IDM

Pulsed Drain Current CD

680

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

300

W

 

Linear Derating Factor

2.0

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

EAS

Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) Q)

270

mJ

EAS (tested)

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value 0

690

IAR

Avalanche Current CD

See Fig.12a,12b,15,16

A

EAR

Repetitive Avalanche Energy ®

mJ

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case )

 

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRF2907ZPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装