IRLML9303TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SOT-23-3
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：2.3 A
Rds上漏源导通电阻：270毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：2 nC
Pd-功率耗散：1.25 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.1毫米
长度：2.9毫米
晶体管类型：1 P通道
宽度：1.3毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRLML9303TRPBF SP001558866
单位重量：8毫克
应用程序
系统/负载开关
特征
行业标准的引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
MSL1，消费者资格
好处
多厂商兼容性
易于制造
环保的
可靠性更高
最大绝对额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-Source Voltage |
-30 |
V |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
-2.3 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
-1.8 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current |
-12 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
1.25 |
W |
|
PD @TA = 70°C |
Maximum Power Dissipation |
0.80 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
0.01 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
TJ, TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
Symbol |
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient CT |
––– |
100 |
°C/W |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient (t<10s) © |
––– |
99 |
|
VDS |
-30 |
V |
|
VGS Max |
± 20 |
V |
|
RDS(on) max (@VGS = -10V) |
165 |
mW |
|
RDS(on) max (@VGS = -4.5V) |
270 |
mW |
Source - Drain Ratings and Characteristics
|
Symbol |
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
Units |
Conditions |
|
IS |
Continuous Source Current (Body Diode) |
––– |
––– |
-1.3 |
A |
MOSFET symbol D showing the integral reverse G S p-n junction diode. |
|
ISM |
Pulsed Source Current (Body Diode) 。 |
––– |
––– |
-12 |
||
|
VSD |
Diode Forward Voltage |
––– |
––– |
-1.2 |
V |
TJ = 25°C, IS = -1.3A, VGS = 0V @ |
|
trr |
Reverse Recovery Time |
––– |
12 |
18 |
ns |
TJ = 25°C, VR = -24V, IF=-1.3A di/dt = 100A/μs @ |
|
Qrr |
Reverse Recovery Charge |
––– |
5.3 |
8.0 |
nC |
IRLML9303TRPBF
IR
TO-252
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
