IRF7351TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：60 V
Id-连续直流电流：8 A
Rds上漏源导通电阻：17.8 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：24 nC
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：2 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7351TRPBF SP001577392
单位重量：165毫克
应用领域
•用于隔离式DC-DC转换器的同步整流器MOSFET
•低功率电机驱动系统
好处
•超低门阻抗
•全面表征雪崩电压和电流
•20V VGS最大。 门额定值
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
60 |
V |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
|
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
8.0 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
6.4 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current G) |
64 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation ® |
2.0 |
W |
|
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation ® |
1.28 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
0.016 |
W/°C |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJL |
Junction-to-Drain Lead � |
––– |
20 |
°C/W |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient ®� |
––– |
62.5 |
|
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy Q) |
––– |
325 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche Current CD |
––– |
6.4 |
A |
IRF7351TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
