产品详情

IRLML0040TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市凯斯宇科技有限公司

金牌会员14年

全部产品 进入商铺

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SOT-23-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：40 V
Id-连续直流电流：3.6 A
Rds上漏源导通电阻：78毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：10 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1 V
Qg-萘甲酸：2.6 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：1.3 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.1毫米
长度：2.9毫米
MOSFET晶体管类型：1 N沟道
宽度：1.3毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：6.2 s
下降时间：4.3 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：5.4 ns
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：6.4 ns
典型起始延迟时间：5.1 ns
零件号别名：IRLML0040TRPBF SP001572982
单位重量：8毫克
应用程序
负载/系统开关
直流电机驱动

特征
低RDS（on）（56mΩ）
行业标准的引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
MSL1，消费者资格
好处
降低开关损耗
多厂商兼容性
易于制造
环保的
可靠性更高
最大绝对额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-Source Voltage

40

V

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

3.6

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

2.9

IDM

Pulsed Drain Current

15

PD @TA = 25°C

Maximum Power Dissipation

1.3

 

W

PD @TA = 70°C

Maximum Power Dissipation

0.8

 

Linear Derating Factor

0.01

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 16

V

TJ, TSTG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

型号/规格

IRLML0040TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOT-23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装