IRFR15N20DTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：200 V
Id-连续直流电流：17 A
Rds上漏源导通电阻：165毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：30 V
Vgs th-栅源极阈值电压：5.5 V
Qg-血浆甲醛：27 nC
最小工作温度：-55°C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：140 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：4 S
下降时间：8.9 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：32 ns
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：17 ns
典型起始延迟时间：9.7 ns
零件号别名：IRFR15N20DTRPBF SP001555046
单位重量：4 g
应用领域
•高频DC-DC转换器
•无铅
好处
•低的栅极到漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容，包括有效的COSS来简化设计，（请参见应用笔记AN1001）
•完全表征的雪崩电压和电流
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
17 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
12 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
68 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
140 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation* |
3.0 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.96 |
W/°C |
|
VGS dv/dt |
Gate-to-Source Voltage Peak Diode Recovery dv/dt a> |
± 30 8.3 |
V V/ns |
|
TJ |
Operating Junction and |
-55 to + 175 |
°C |
|
TSTG |
Storage Temperature Range |
||
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
IRFR15N20DTRPBF
IR
TO-252
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
