IRF9Z24NSTRLPBF MOSFET ▊原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：12 A
Rds上漏源导通电阻：175毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：12.7 nC
Pd-功率耗散：45 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 P通道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF9Z24NSTRLPBF SP001554552
单位重量：4 g
特征

先进工艺技术
表面安装（IRF9Z24NS）
低剖面通孔（IRF9Z24NL）
175C工作温度
P-通道
快速切换
无铅

描述国际整流器第五代六角场效应晶体

管利用先进的加工技术，实现每硅面积

的极低导通电阻。这是nefit，结合快速

开关速度和加固设备设计，HEXFET功率

mosfet众所周知，为设计师提供了一个

非常高效和可靠的设备，用于各种应用中

D-pak是一个表面安装的电源包，能够使

模具尺寸达到HEX-4。它提供了最高的功

率能力和的可能在任何现有的表面贴

装封装电阻。由于其内部连接电阻低，所以

2PAK适用于大电流应用，并且在典型的表面

安装应用中可以耗散到2.OW通孔版本（IRF9Z24NL）

可用于低剖面应用完全雪崩额定值
绝对最大额定值sparametermaxunitsib e T：=25，

C连续排水量ve e-10v8lo e T：=100”C连续排水量，

Vs 0-10VG8.5bflsedrancern0epoot=25C功率消耗量

wwpo@Tc=25%C功耗线性降额系数030WFCWE识

栅极到源电压±20I单脉冲雪崩能量约为雪崩电流7.2

重复雪崩能量约为，d/at峰值二极管恢复dv/dt 3S5.0vms

工作结和55o+175存储温度范围焊接温度，适用

于10seconds300（1.6mm，从外壳热阻参数MaxUnitsFunction

到外壳接地到环境温度（PCB安装sleady stateCA