IRF7769L1TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：DirectFET-L8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：124 A
Rds上漏源导通电阻：2.8毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2 V
Qg-萘甲酸：200 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：125 W
通道模式：增强
商标名：DirectFET
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.74毫米
长度：9.15毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：7.1毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：410 S
下降时间：41 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：32 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：92 ns
典型中断时间：44 ns
零件号别名：IRF7769L1TRPBF SP001566418
单位重量：176.520毫克
应用领域
符合RoHS，无卤素
无铅（符合260°C回流焊标准）
高性能隔离转换器主开关插座的理想选择
针对同步整流进行了优化
低传导损耗
高Cdv / dt免疫力
薄型（<0.7mm）
双面散热兼容
与现有的表面贴装技术兼容
工业合格
描述
IRF7769L1TRPbF将最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFETTM封装相结合，从而在占地小于D2PAK且外形尺寸仅为0.7 mm的封装中实现了的导通状态电阻。 当遵循有关制造方法和工艺的应用笔记AN-1035时，DirectFET™封装可与电力应用，PCB组装设备和气相，红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何兼容。 DirectFET™封装允许双面冷却，以最大限度地提高电源系统中的热传递。
IRF7769L1TRPbF针对高频开关和同步整流应用进行了优化。 器件总损耗的减少与高水平的热性能相结合，可实现高效率和低温，这是提高系统可靠性的关键，并使该器件成为高性能功率转换器的理想之选。