IRF6797MTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:DirectFET-MX
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:25 V
Id-连续直流电流:210 A
Rds上漏源导通电阻:1.8毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:45 nC
Pd-功率耗散:89 W
商标名:DirectFET
封装:Reel
配置:单
高度:0.7毫米
长度:6.35毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:5.05毫米
商标:Infineon Technologies
湿度敏感性:是
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4800
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF6797MTRPBF SP001530232
特征

符合RoHs标准,不含铅和溴化物
集成单片肖特基二极管
薄型(<0.7毫米)
双面散热兼容
超低封装电感
针对高频开关进行了优化
CPU核心DC-DC转换器的理想选择
针对同步进行了优化。 同步的FET插座。 降压转换器
低传导和开关损耗
与现有的表面贴装技术兼容
已通过100%汞测试
描述
IRF6797MPbF将最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFETTM封装相结合,从而在具有SO-8占位面积和仅0.7 mm外形的封装中实现了的导通状态电阻。 DirectFET封装与电源应用,PCB组装设备以及气相,红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何形状兼容。关于制造方法和工艺,遵循应用笔记AN-1035。 DirectFET封装允许双面冷却,以最大限度地提高电源系统中的热传递,将以前的最佳热阻提高80%。
IRF6797MPbF平衡了业界领先的通态电阻,同时将栅极电荷降至,并具有超低封装电感,以降低传导和开关损耗。该部分包含一个集成的肖特基二极管,以减小体漏二极管的Qrr,从而进一步减少同步降压电路中的损耗。降低的损耗使该产品非常适合为大电流负载供电的高频/高效DC-DC转换器,例如最新一代的微处理器。 IRF6797MPbF已针对同步降压转换器的Sync FET插座中至关重要的参数进行了优化。

型号/规格

IRF6797MTRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

DIRECTFET

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装