IRLR3105TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：25 A
Rds上漏源导通电阻：43毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Vgs th-栅源极阈值电压：3 V
Qg-血浆甲醛：13.3 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：57 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
类型：HEXFET功率MOSFET
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：15 S
下降时间：37 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：57 ns
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：25 ns
典型起始延迟时间：8 ns
零件号别名：IRLR3105TRPBF SP001578856
单位重量：4 g
特征
逻辑电平门驱动
先进的工艺技术
超低导通电阻
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许最大Tjmax
无铅

描述
这款HEXFET®功率MOSFET利用最新的处理技术，

使每个硅面积的导通电阻极低。此设计的其他

功能是175°C的结温，快速的开关速度和改进的

重复雪崩额定值。这些功能相结合，使该设计

成为一种非常有效和可靠的设备，可用于多种应用。
D-Pak专为使用气相，红外或波峰焊技术进行表面

安装而设计。直引线版本（IRLU系列）用于通孔

安装应用。在典型的表面贴装应用中，功耗可能高达1.5瓦。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	25	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	18
IDM	Pulsed Drain Current CD	100
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	57	W
	Linear Derating Factor	0.38	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 16	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy0	61	mJ
E_AS (tested)	Single Pulse Avalanche Energy Tested Value<v	94	mJ
IAR	Avalanche CurrentCD	See Fig.12a, 12b, 15, 16	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy®	See Fig.12a, 12b, 15, 16	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt CT	3.4	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	oc
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	oc

型号/规格

IRLR3105TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装