IRFB3306PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：60 V
Id-连续直流电流：160 A
Rds漏源导通电阻：3.3毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：85 nC
Pd-功率耗散：230 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFB3306PBF SP001556002
单位重量：6 g
应用领域
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
好处
•改进的门，雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
•符合RoHS，无卤素
最大绝对额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)	160叩	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	110叩
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited)	120
IDM	Pulsed Drain Current 0	620
PD @TC = 25°C	Maximum Power Dissipation	230	W
	Linear Derating Factor	1.5	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
dv/dt	Peak Diode Recovery @	14	V/ns
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw	10lb' in (1.1N' m)

热阻

Symbol	Parameter	Typ.	Max.	Units
RqJC	Junction-to-Case @	–––	0.65	°C/W
RqCS	Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220	0.50	–––
RqJA	Junction-to-Ambient, TO-220 @	–––	62
RqJA	Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D²Pak 芯@	–––	40

型号/规格

IRFB3306PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装