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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:75 V
Id-连续直流电流:89 A
Rds上漏源导通电阻:9.4毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:71 nC
Pd-功率耗散:170 W
封装:Tube
配置:单
高度:15.65毫米
长度:10毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:4.4毫米
商标:Infineon Technologies
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF2807ZPBF SP001574688
单位重量:6 g
特征
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•重复雪崩允许最大Tjmax
•无铅
描述
这款HEXFET®功率MOSFET利用最新的处理技术,
使每个硅面积的导通电阻极低。 此设计的其他功
能是175°C的结温,快速的开关速度和改进的重
复雪崩额定值。 这些功能相结合,使该设计成为
一种非常有效和可靠的设备,可用于多种应用。
最大绝对额定值
|
Parameter |
Max. |
Units |
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
89 |
A |
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig. 9) |
63 |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited) |
75 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
350 |
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
170 |
W |
|
Linear Derating Factor |
1.1 |
W/°C |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) Q) |
160 |
mJ |
EAS (tested) |
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value 0 |
200 |
|
IAR |
Avalanche Current CD |
See Fig.12a,12b,15,16 |
A |
EAR |
Repetitive Avalanche Energy ® |
mJ |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10 lbf•in (1.1N•m) |
|
IRF2807ZPBF
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
卷带编带包装