IRGP4660D-EPBF IGBT晶体管 ▊原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：IGBT晶体管
RoHS：详细信息
技术：Si
封装/箱体：TO-247AD-3
安装风格：通孔
配置：单
集电极—发射极最大电压VCEO：600 V
集电极—射极饱和电压：1.6 V
正极/发射极最大电压：20 V
在25 C的连续集电极电流：100 A
Pd-功率耗散：330 W
IGBT晶体管最小工作温度：-55 C
IGBT晶体管最大工作温度：+ 175 C
系列：TRENCHSTOP
封装：Tube
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
宽度：5.31毫米
商标：Infineon / IR
正极—射极漏泄电流：100 nA
产品类型：IGBT晶体管
工厂包装数量：400
子类别：IGBT
商标名：TRENCHSTOP
零件号别名：IRGP4660D-EPBF SP001548232
单位重量：38 g
应用领域
•工业电机驱动
•变频器
• UPS
• 焊接

特征
低VCE（ON）和开关损耗
方形RBSOA和最高结温175°C
正VCE（ON）温度系数
5μs短路SOA
无铅，符合RoHS
好处
在各种应用和切换中均具有高效率
频率
坚固的硬开关性能提高了可靠性
和更高的功率能力
并联运行中出色的均流
启用短路保护方案
环保的

描述
是高电压，高电压
速度功率MOSFET和IGBT驱动器。 所有权
HVIC和锁存免疫CMOS技术可实现
坚固的整体结构。浮动通道可用于在高端或低端驱动N通道功率MOSFET或IGBT
侧面配置，最高可工作600伏。 逻辑输入为
与标准CMOS或LSTTL输出兼容
低至3.3V。 保护电路检测驱动功率晶体管中的过电流并终止
栅极驱动电压。 提供漏极开路故障信号以指示已经发生过电流关断。 输出驱动器具有高脉冲电流
缓冲级设计用于最小化交叉传导。

浮动通道可用于在高端或低端驱动N通道功率MOSFET或IGBT
侧面配置，最高可工作600伏。