IRF7805ZTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:N沟道
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:16 A
漏源导通电阻:8.7毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:18 nC
Pd-功率耗散:2.5 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF7805ZTRPBF SP001563692
单位重量:540毫克
应用领域
•用于网络和计算系统的高频负载点同步降压转换器。
•无铅
好处
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS(on)
•超低门阻抗
•完全表征的雪崩电压和电流
•100%经过Rg测试

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

30

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

16

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

12

IDM

Pulsed Drain Current CD

120

PD @TA = 25°C

Power Dissipation ©

2.5

W

PD @TA = 70°C

Power Dissipation ©

1.6

 

Linear Derating Factor

0.02

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 150

°C

热阻

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJL

Junction-to-Drain Lead (1)  

–––

20

°C/W

RqJA

Junction-to-Ambient ©(1)  

–––

50

雪崩特性

 

Parameter

Typ.

Max.

Units

EAS

Single Pulse Avalanche Energy G)

–––

72

mJ

IAR

Avalanche Current CD

–––

12

A

型号/规格

IRF7805ZTRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装