IRLML6302TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SOT-23-3
晶体管极性:P-Channel
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续直流电流:620 mA
Rds上漏源导通电阻:600毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:12 V
Qg-血浆甲醛:2.4 nC
钯-功率耗散:540 mW
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1.1毫米
长度:2.9毫米
产品:MOSFET小信号
晶体管类型:1 P通道
宽度:1.3毫米
商标:Infineon Technologies
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRLML6302TRPBF SP001574060
单位重量:8毫克
•第五代技术

•超低导通电阻
•P沟道MOSFET
•SOT-23足迹
•薄型{<1.1mm)
•提供卷带包装
•快速切换
•无铅
•符合RoHS,无卤素
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术,以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET功率MSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件,可广泛用于各种应用中。
一个定制的引线框已被纳入标准的SOT-23封装中,以生产具有业界最小尺寸的HEXFET功率MSFET。 这个被称为Micro3的封装非常适合印刷电路板空间非常宝贵的应用。 Micro3的薄型(<1.1mm)使它可以轻松地适应极薄的应用环境,例如便携式电子设备和PCMCIA卡。

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V

-0.78

 

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V

-0.62

A

IDM

Pulsed Drain Current CD

-4.9

PD @TA = 25°C

Power Dissipation

540

mW

 

Linear Derating Factor

4.3

mW/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

12

V

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt 0

-5.0

V/ns

TJ, TSTG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C


型号/规格

IRLML6302TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOT-23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装