IRF3205LPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-262-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：110 A
漏源导通电阻：8 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：97.3 nC
Pd-功率耗散：200 W
封装：Tube
配置：单
高度：9.45毫米
长度：10.2毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.5毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF3205LPBF SP001564458
单位重量：2.387 g

特征

•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司（International Rectifier）的高级HEXFET®

功率MOSFET利用先进的处理技术，使每个硅面积的导通电

阻极低。这种好处，结合了快速
HEXFET功率MOSFET广为人知的开关速度和坚固耐用的设备

设计为设计人员提供了一种极其高效和可靠的设备，可广泛

用于各种应用中。
D2Pak是一种表面安装电源封装，能够容纳高达HEX-4的裸片

尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供最高的功率能力

和的导通电阻。 D2Pak的内部连接电阻低，因此适合于

大电流应用，并且会耗散

在典型的表面贴装应用中达到2.0W。
通孔版本（IRF3205L）可用于薄型。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	110 m	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	80
IDM	Pulsed Drain Current CD	390
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	200	W
	Linear Derating Factor	1.3	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	土 20	V
IAR	Avalanche CurrentCD	62	A
EAR	Repetitive Avalanche EnergyCD	20	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt Gl	5.0	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 srew	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRF3205LPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-262

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装