AUIRFZ24NS MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：17 A
Rds漏源导通电阻：70毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：13.3 nC
Pd-功率耗散：45 W
资质：AEC-Q101
封装：Tube
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：AUIRFZ24NS SP001517468
单位重量：4 g
特征
先进的平面技术
导通电阻低
动态dV / dT和dI / dT功能
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩等级
重复雪崩允许最大Tjmax
无铅，符合RoHS
汽车合格*
描述
这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计，

利用最新的处理技术，使每个硅面积的导通电阻极低。

此设计的其他功能是175°C的结温，快速的开关

速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能相结合，

使该设计成为一种非常有效且可靠的设备，可用于汽车应用以及各种其他应用

最大绝对额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	17	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	12
IDM	Pulsed Drain Current	68
P_D @T_A = 25°C	Maximum Power Dissipation	3.8	W
P_D @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	45	W
	Linear Derating Factor	0.3	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚	71	mJ
IAR	Avalanche Current	10	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy	4.5	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery ƒ	6.8	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C

型号/规格

AUIRFZ24NS

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装