IRFH8318TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：PQFN-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：120 A
Rds上漏源导通电阻：4.6毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1.8 V
Qg-血浆甲醛：41 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：3.6 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.83毫米
长度：6 mm
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-对抗：81 S
下降时间：12 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：33 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：18 ns
典型起始延迟时间：15 ns
零件号别名：IRFH8318TRPBF SP001572710
应用领域
用于高频降压转换器的同步MOSFET
特征
对PCB的低热阻（<1.7°C / W）
薄型（<1.2mm）
行业标准引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
MSL1，消费者资格认证
好处
实现更好的散热
功率密度增加
多厂商兼容性
易于制造
环保
可靠性更高
最大绝对额定值
Parameter
Max.
Units
VDS
Drain-to-Source Voltage
30
V
VGS
Gate-to-Source Voltage
± 20
ID @ TA = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
27
A
ID @ TA = 70°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
21
ID @ TC(Bottom) = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
120@0
ID @ TC(Bottom) = 100°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
76@0
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)
500
IDM
Pulsed Drain Current CD
400
PD @TA = 25°C
Power Dissipation (i)
3.6
W
PD @TC(Bottom) = 25°C
Power Dissipation (i)
59
Linear Derating Factor (i)
0.029
W/°C
TJ
TSTG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
-55 to + 150
°C
IRFH8318TRPBF
IR
PQFN-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
