IRF630NSTRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-263-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:200 V
Id-连续直流电流:9.3 A
Rds上漏源导通电阻:300毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:23.3 nC
最小工作温度:-55°C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:82 W
通道模式:增强
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:2.3毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:6.22毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-加速度:4.9 S
下降时间:15 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:14 ns
工厂包装数量:800
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:27 ns
典型起始延迟时间:7.9 ns
零件号别名:IRF630NSTRLPBF SP001564548
单位重量:4 g
特征
•先进的工艺技术
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•轻松并联
•简单的驱动器要求
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET®功率MOSFET采用先进的处理技术,可实现每硅面积极低的导通电阻。这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种非常有效和可靠的器件,可广泛用于各种应用中。
TO-220封装普遍适用于所有功耗约为50瓦的商业工业应用。 TO-220的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业中的广泛接受。
D2Pak是一种表面安装电源封装,能够容纳高达HEX-4的裸片尺寸。在任何现有的表面贴装封装中,它都具有最高的功率能力和的导通电阻。 D2Pak的内部连接电阻低,因此适合大电流应用,在典型的表面安装应用中,其耗散高达2.0W。
通孔版本(IRF630NL)可用于薄型应用。

型号/规格

IRF630NSTRLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装