IRFB3006PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
MOSFET封装/箱体：TO-220-3
晶体管正极：N正极
Vds-漏源极击穿电压：60 V
Id-连续直流电流：270 A
Rds上漏源导通电阻：2.1毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：200 nC
Pd-功率耗散：375 W
封装：Tube
高度：15.65毫米
长度：10毫米
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFB3006PBF SP001570606
单位重量：6 g
应用领域
高效同步整流
在SMPS中
不间断电源供应
高速电源开关
硬开关和高频电路
好处
改进的Gate，Avalanche和Dynamic
dV / dt坚固性
完全表征的电容和
雪崩SOA
增强的体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅
符合RoHS，无卤素

最大绝对额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	270G)	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	190 G)
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Wire Bond Limited)	195
IDM	Pulsed Drain Current Q)	1080
P_D @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	375	W
	Linear Derating Factor	2.5	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
dv/dt	Peak Diode Recovery ®	10	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw	10lb"in (1.1N"m)

热阻

Symbol	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	270G)	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	190 G)
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Wire Bond Limited)	195
IDM	Pulsed Drain Current Q)	1080
P_D @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	375	W
	Linear Derating Factor	2.5	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
dv/dt	Peak Diode Recovery ®	10	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw	10lb"in (1.1N"m)

型号/规格

IRFB3006PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装