IRL2505PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：104 A
漏源导通电阻：8 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Qg-萘甲酸：86.7 nC
Pd-功率耗散：200 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
MOSFET工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRL2505PBF SP001567114
单位重量：6 g
特征

•逻辑级门驱动
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，

以实现极低的每硅面积导通电阻。这项优势与HEXFET

Power M0SFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的

器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和

可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
T0-220是所有商用工业应用的通用选择，其功耗水平

约为50瓦。 T0-220的低热阻和低封装成本使其在整

个行业中得到广泛认可。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	104CT	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	74
IDM	Pulsed Drain Current G)	360
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	200	W
	Linear Derating Factor	1.3	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 16	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy(￡	500	mJ
IAR	Avalanche Current G)	54	A
EAR	Repetitive Avalanche EnergyG)	20	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt Gl	5.0	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 srew	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRL2505PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装