IRFP90N20DPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：200 V
Id-连续直流电流：94 A
Rds上漏源导通电阻：23毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：30 V
Qg-萘甲酸：180 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：580 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：单
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.31毫米
商标：Infineon Technologies
正向跨导-对抗：39 S
下降时间：79 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：160 ns
工厂包装数量：400
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：43 ns
典型终止时间：23 ns
零件号别名：IRFP90N20DPBF SP001552070
单位重量：38 g

应用领域
•高频DC-DC转换器
•无铅
好处
•低的栅极到漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容，包括有效的COSS来简化设计，（请参见应用笔记AN1001）
•完全表征的雪崩电压和电流

最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	94®	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	66
IDM	Pulsed Drain Current CD	380
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	580	W
	Linear Derating Factor	3.8	W/°C
VGS dv/dt	Gate-to-Source Voltage Peak Diode Recovery dv/dt CT	± 30 6.7	V V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )
	Mounting torqe, 6-32 or M3 screw	10 lbf•in (1.1N•m)

热阻

	Parameter	Typ.	Max.	Units
RqJC	Junction-to-Case	–––	0.26	°C/W
RqCS	Case-to-Sink, Flat, Greased Surface	0.24	–––
RqJA	Junction-to-Ambient	–––	40

型号/规格

IRFP90N20DPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装