IRFH3702TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:PQFN-8
晶体管极性:N沟道
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:42 A
Rds漏源导通电阻:7.1毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:9.6 nC
Pd-功率耗散:2.8 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1毫米
长度:6 mm
晶体管类型:1 N沟道
宽度:5毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFH3702TRPBF SP001572498
应用领域
•用于计算机处理器电源的同步降压转换器
•用于网络和电信的隔离式DC / DC转换器
•机顶盒降压转换器
好处
•低RDS(ON)
•极低的栅极电荷
•低结点到PCB的热阻
•完全表征的雪崩电压和电流
•100%经过RG测试
•无铅(符合260°C回流焊标准)
•符合RoHS(无卤素)

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

30

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

16

 

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

12

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

42

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)

25

IDM

Pulsed Drain Current CD

120

PD @TA = 25°C

Power Dissipation

2.8

W

PD @TA = 70°C

Power Dissipation

1.8

 

Linear Derating Factor

0.02

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

热阻

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJC

Junction-to-Case ®

–––

6.0

 

°C/W

RqJA

Junction-to-Ambient �®

–––

45

RqJA

Junction-to-Ambient (t<10s) ®

–––

44

型号/规格

IRFH3702TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

PQFN-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装