IRF7749L1TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：DirectFET-L8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：60 V
Id-连续直流电流：200 A
Rds上漏源导通电阻：1.1毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2.9 V
Qg-萘甲酸：200 nC
MOSFET最小工作温度：-55 C
MOSFET最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：125 W
商标名：DirectFET
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.74毫米
长度：9.15毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：7.1毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-对抗：280 S
下降时间：39 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：43 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：78 ns
典型中断时间：17 ns
零件号别名：IRF7749L1TRPBF SP001555556
应用领域
符合RoHS，无卤素
无铅（符合260°C回流焊标准）
理想的高性能隔离式转换器主开关插座
针对同步整流进行了优化
低传导损耗
高Cdv / dt免疫力
薄型（<0.7mm）
双面散热兼容
兼容现有的表面贴装技术
最大绝对额定值

Parameter	Symbol	Conditions	Values	Unit
Continuous Drain Current (Silicon Limited)	ID	TC = 25°C, VGS @ 10V	345 ‡	A
Continuous Drain Current (Silicon Limited)	ID	TC = 100°C, VGS @ 10V	243
Continuous Drain Current (Silicon Limited) Œ	ID	TA= 25°C, VGS @ 10V	36
Continuous Drain Current (Package Limited)	ID	TC = 25°C, VGS @ 10V	375
Pulsed Drain Current ‚	IDM	TC = 25°C	1380
Maximum Power Dissipation	PD	TC = 25°C	341	W
Maximum Power Dissipation	PD	TA = 25°C	3.8	W
Linear Derating Factor	-	-	0.025	W/°C
Gate-to-Source Voltage	VGS	-	± 20	V
Operating Junction	TJ	-	-55 to + 175	°C
Storage Temperature Range	TSTG	-	-55 to + 175	°C

型号/规格

IRF7749L1TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

DIRECTFET

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装