IRFR2307ZTRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：75 V
Id-连续直流电流：53 A
Rds上漏源导通电阻：16毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：50 nC
Pd-功率耗散：110 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFR2307ZTRLPBF SP001555008
单位重量：550毫克
特征
先进的工艺技术
超低导通电阻
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许最大Tjmax
无铅
描述
这款HEXFET®功率MOSFET利用最新的处理技术，

使每个硅面积的导通电阻极低。该设计的附加功

能是175°C的结温，快速的开关速度和提高的重复

雪崩额定值。这些功能相结合使该设计成为极为

有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。

最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	53	A
ID @ TC = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	38
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Package Limited)	42
IDM	Pulsed Drain Current CD	210
PD @TC = 25°C	Power Dissipation	110	W
	Linear Derating Factor	0.70	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS (Thermally limited)	Single Pulse Avalanche Energy@	100	mJ
E_AS (Tested )	Single Pulse Avalanche Energy Tested Value ®	140	mJ
IAR	Avalanche Current CD	See Fig.12a, 12b, 15, 16	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy (1)	See Fig.12a, 12b, 15, 16	mJ
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C

型号/规格

IRFR2307ZTRLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装