IRFR2307ZTRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:TO-252-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:75 V
Id-连续直流电流:53 A
Rds上漏源导通电阻:16毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:50 nC
Pd-功率耗散:110 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:2.3毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:6.22毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFR2307ZTRLPBF SP001555008
单位重量:550毫克
特征
先进的工艺技术
超低导通电阻
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许最大Tjmax
无铅
描述
这款HEXFET®功率MOSFET利用最新的处理技术,

使每个硅面积的导通电阻极低。 该设计的附加功

能是175°C的结温,快速的开关速度和提高的重复

雪崩额定值。这些功能相结合使该设计成为极为

有效和可靠的器件,可广泛用于各种应用中。

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

53

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

38

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)

42

IDM

Pulsed Drain Current CD

210

PD @TC = 25°C

Power Dissipation

110

W

 

Linear Derating Factor

0.70

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

EAS (Thermally limited)

Single Pulse Avalanche Energy@

100

mJ

EAS (Tested )

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value ®

140

IAR

Avalanche Current CD

See Fig.12a, 12b, 15, 16

A

EAR

Repetitive Avalanche Energy (1)  

mJ

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case )

型号/规格

IRFR2307ZTRLPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装