产品详情

IRFB38N20DPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市凯斯宇科技有限公司

金牌会员14年

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：200 V
Id-连续直流电流：44 A
Rds上漏源导通电阻：54毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：30 V
Qg-萘甲酸：60 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：320 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
正向跨导-对抗：17 S
下降时间：47 ns
产品类型：MOSFET
MOSFET上升时间：95 ns
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：29 ns
典型起始延迟时间：16 ns
零件号别名：IRFB38N20DPBF SP001556010
单位重量：6 g
应用领域
高频DC-DC转换器
等离子显示面板

好处
低的栅极到漏极电荷以减少开关损耗
全面表征的电容，包括有效的COSS来简化设计
全面表征雪崩电压和电流
无铅

Base part number

Package Type

Standard Pack

Orderable Part Number

Form

Quantity

IRFB38N20DPbF

TO-220

Tube

50

IRFB38N20DPbF

IRFSL38N20DPbF

TO-262

Tube

50

IRFSL38N20DPbF

IRFS38N20DPbF

D2-Pak

Tube

50

IRFS38N20DPbF

Tape and Reel Left

800

IRFS38N20DTRLPbF

最大额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V ‡

43*

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V ‡

30*

IDM

Pulsed Drain Current 

180

PD @TA = 25°C

Maximum Power Dissipation ‡

3.8

W

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation ‡

300*

W

 

Linear Derating Factor‡

2.0*

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 30

V

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dtƒ

9.5

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)

300

 

Mounting torque, 6-32 or M3 screw†

10 lbf•in (1.1N•m)


型号/规格

IRFB38N20DPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装