IRFH7440TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：PQFN-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：40 V
Id-连续直流电流：159 A
Rds漏源导通电阻：2.7毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：3.9 V
Qg-血浆甲醛：92 nC
MOSFET最小工作温度：-55 C
MOSFET最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：104 W
通道模式：增强
商标名：StrongIRFET
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.83毫米
长度：6 mm
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：149 S
下降时间：42 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：45 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：53 ns
典型起始延迟时间：12 ns
零件号别名：IRFH7440TRPBF SP001565996
单位重量：193毫克
应用领域
•有刷电机驱动应用
•BLDC电机驱动器应用
•PWM逆变拓扑
•电池供电电路
•半桥和全桥拓扑
•电子镇流器应用
•同步整流器的应用
•谐振模式电源
•ORing和冗余电源开关
•DC / DC和AC / DC转换器
好处
•改进的门，雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
最大绝对额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
159CD |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
101CD |
|
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited) |
85 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current G) |
624 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
104 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.83 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery © |
3.0 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
IRFH7440TRPBF
IR
PQFN-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
