IRL8114PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
封装:Tube
配置:单
高度:15.65毫米
长度:10毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:4.4毫米
商标:Infineon Technologies
产品类型:MOSFET
MOSFET工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRL8114PBF SP001550392
单位重量:1.800克

应用
•针对UPS /逆变器应用进行了优化
低压电动工具
好处
•4.5V VGS时RDS(on)低
低栅极电荷
•完全表征的电容和雪崩SOA
•无铅

额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

120 

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

85

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)

90

IDM

Pulsed Drain Current

440

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

115

W

PD @TC = 100°C

Maximum Power Dissipation

58

 

Linear Derating Factor

0.77

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

TJ

TSTG

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)

300

 

Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw

10 lbf·in (1.1 N·m)

热阻

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJC

Junction-to-Case

–––

1.3

 

°C/W

RqCS

Case-to-Sink, Flat Greased Surface

0.50

–––

RqJA

Junction-to-Ambient

–––

62

雪崩特性

EAS (Thermally limited)

Single Pulse Avalanche Energy ƒ

200

mJ

IAR

Avalanche Current

32

A

型号/规格

IRL8114PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装