IRLB4030PBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：180 A
Rds上漏源导通电阻：4.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Qg-血浆甲醛：87 nC
Pd-功率耗散：370 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
MOSFET晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRLB4030PBF SP001552594
单位重量：6 g
应用领域
•直流电机驱动
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
好处
•针对逻辑电平驱动进行了优化
•在4.5V VGS时具有极低的RDS（ON）
•4.5V VGS时具有出色的R * Q
•改进的门，雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
最大绝对额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
180 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
130 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current G) |
730 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
370 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
2.5 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 16 |
V |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery CT |
21 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10lb"in (1.1N"m) |
|
|
Symbol |
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJC |
Junction-to-Case @ |
––– |
0.40 |
°C/W |
|
RqCS |
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface |
0.50 |
––– |
|
|
RqJA |
Junction-to-Ambient CV@ |
––– |
62 |
IRLB4030PBF
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
