IRFP140NPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-247-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续直流电流:33 A
Rds上漏源导通电阻:52毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-萘甲酸:94 nC
最小工作温度:-55°C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:140 W
封装:Tube
配置:单
高度:20.7毫米
长度:15.87毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:5.31毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
上升时间:39 ns
工厂包装数量:400
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:44 ns
典型起始延迟时间:8.2 ns
零件号别名:IRFP140NPBF SP001575786
单位重量:38 g
特征

先进工艺技术
动态dv/dt额定值
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩额定值
无铅
说明
来自国际整流器的第五代HEXFET利用先进的加工技术,

实现了对每硅面积电阻的可能性。这一优点与HEXFET

功率mosfet的快速开关速度和坚固耐用的设计结合在一起,

为设计者提供了一个非常高效的设备,可用于多种应用。

在功率水平较高而不能使用220个器件的商业工业应用中,

TO-247封装是首选。TO-247与欧利T O-218相似,但由于

其独立安装,优于欧利T O-218。

最大绝对额定值

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

33

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

23

IDM

Pulsed Drain Current †

110

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

140

W

 

Linear Derating Factor

0.91

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

EAS

Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚†

300

mJ

IAR

Avalanche Current †

16

A

EAR

Repetitive Avalanche Energy 

14

mJ

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dtĠ

5.0

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)

300

 

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

10 lbf•in (1.1N•m)


型号/规格

IRFP140NPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装