IRF2804LPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-262-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：40 V
Id-连续直流电流：280 A
Rds漏源导通电阻：2.3毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：160 nC
Pd-功率耗散：330 W
封装：Tube
配置：单
高度：9.45毫米
长度：10.2毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.5毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF2804LPBF SP001550958
单位重量：2.387 g
特征
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•175°C工作温度
•快速切换
•重复雪崩允许最大Tjmax
•无铅
描述
这款HEXFET®功率MOSFET利用最新的处理技术，

使每个硅面积的导通电阻极低。此设计的其他

功能是175°C的结温，快速的开关速度和改进的

重复雪崩额定值。这些功能相结合，使该设计

成为一种非常有效和可靠的设备，可用于多种其他应用。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
ID @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	270	A
ID @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (See Fig. 9)	190
ID @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Package Limited)	75
IDM	Pulsed Drain Current CD	1080
PD @T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	300	W
	Linear Derating Factor	2.0	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) Q)	540	mJ
E_AS (tested)	Single Pulse Avalanche Energy Tested Value Cv	1160	mJ
IAR	Avalanche Current CD	See Fig.12a,12b,15,16	A
EAR	Repetitive Avalanche Energy ®	See Fig.12a,12b,15,16	mJ
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRF2804LPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-262

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装