IRFH7085TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：PQFN-8
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：60 V
Id-连续直流电流：147 A
Rds上漏源导通电阻：3.6毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：3.7 V
Qg-萘甲酸：110 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 150 C
商标名：StrongIRFET
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.83毫米
长度：6 mm
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-对抗：140 S
下降时间：23 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：25 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：63 ns
典型起始延迟时间：13 ns
零件号别名：IRFH7085TRPBF SP001560390
应用
半桥和全桥拓扑
同步整流器的应用
谐振模式电源
DC/ DC转换器
DC/ AC逆变器
好处
改进了Gate，雪崩和动态dV / dt坚固性
完全表征的电容和雪崩SOA
增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅，符合RoHS标准
最大绝对额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_A = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	23	A
ID @ TC(Bottom) = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Silicon Limited)	147
ID @ TC(Bottom) = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	93
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V (Package Limited)	100
IDM	Pulsed Drain Current ‚	590	A
P_D @ T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	156	W
	Linear Derating Factor	1.25	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C

型号/规格

IRFH7085TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

PQNF-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装