IRFR4105TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：27 A
Rds上漏源导通电阻：45毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-血浆甲醛：34 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：68 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
类型：HEXFET功率MOSFET
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：6.5 S
下降时间：40 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：49 ns
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：31 ns
典型起始延迟时间：7 ns
零件号别名：IRFR4105TRPBF SP001567638
单位重量：4 g

特征

•超低导通电阻
•表面贴装（IRFR4105）
•直引线（IRFU4105）
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
来自国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，

以使每个硅面积的导通电阻尽可能低。这种优势与HEXFET

功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设

计相结合，为设计人员提供了一种非常有效的器件，可广泛

用于各种应用中。
D-PAK设计用于使用气相，红外或波峰焊技术进行表面安装。

直引线版本（IRFU系列）用于通孔安装应用。

在典型的表面贴装应用中，功耗可能高达1.5瓦。

最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	27<il	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	19
IDM	Pulsed Drain Current CD0	100
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	68	W
	Linear Derating Factor	0.45	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy00	65	mJ
IAR	Avalanche CurrentCD0	16	A
EAR	Repetitive Avalanche EnergyCD0	6.8	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt CT	5.0	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C

型号/规格

IRFR4105TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装