IRF7103TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：50 V
Id-连续直流电流：3 A
Rds上漏源导通电阻：130毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：12 nC
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：2 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7103TRPBF SP001562004
单位重量：540毫克
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•双N沟道MOSFET
•表面贴装
•提供卷带包装
•动态dv / dt评级
•快速切换
•无铅
描述
S0-8已通过定制的引线框架进行了修改，
以增强热特性和双管芯功能，使其成为
各种电源应用的理想选择。 通过这些改进，
可以在一块板子空间大大减少的应用中使
用多种设备。 该封装设计用于气相，红外
或波峰焊技术。 在典型的PCB安装应用中，
功耗可能大于0.8W。
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
3.0 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
2.3 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
10 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
2.0 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.016 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
士 20 |
V |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt 0 |
4.5 |
V/nS |
|
TJ, TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
|
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJA |
Maximum Junction-to-Ambient © |
|
|
62.5 |
°C/W |
IRF7103TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
