IRF1310NSTRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：42 A
Rds上漏源导通电阻：36毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：73.3 nC
Pd-功率耗散：3.8 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF1310NSTRLPBF SP001561422
单位重量：4 g
特征

先进工艺技术
表面安装（IRF1310NS）
低剖面通孔（IRF1310NL）
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩额定值
说明
来自国际整流器的第五代HEXFET采用先进的加工技术，

以实现每硅面积的极低导通电阻。这一优点，再加上

HEXFET功率mosfet众所周知的快速开关速度和加固

的器件设计，为设计师提供了一个非常高效和可靠的

设备，可用于各种应用。D2pak是一个表面安装电源包，

可用于尺寸高达HEX-4的普通模具。它在任何现有的

表面安装包中提供最高的电源能力和的导通电阻。

由于其低的内部连接电阻，这种pak适合于大电流应用，

在典型的表面安装应用中可以耗散到2.0W通孔型

（RF1310NL）可用于低剖面应用。

绝对最大额定电流sparameterunitsdo OTC-25-C连续漏极电流，

Ves@novolo Q Tc=100C连续漏极电流，Ves Q 10V30Ip脉冲

漏极电流0G140IPO@TA=25C功率损耗qtc=25'C功率损耗

线性降额系数栅源电压+20eas单脉冲雪崩能量@SIARAvalanche

电流22重复雪崩能量ODV/cPeak二极管恢复dvldt OO5.0工作结和

65至+175STG焊接温度，持续10秒300（1 . 6mm距外壳热阻参数

MaxUnitsRacJunction-to-case95RIAJunction-to-ambient（PCB安装，稳态）