IRF7317TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道，P沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：6.6 A
Rds上漏源导通电阻：29毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Qg-萘甲酸：18 nC
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N通道，1 P通道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7317TRPBF SP001554184
单位重量：540毫克
特征
•Generation V技术超低导通电阻
•双N和P沟道MOSFET
•表面贴装
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，
以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET
功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器
件设计相结合，为设计人员提供了一种非常有效和可靠
的器件，可广泛用于各种应用中。
SO-8已通过定制的引线框架进行了修改，以增强热特性
和多芯片能力，使其成为各种电源应用的理想选择。
通过这些改进，可以在一块板子空间大大减少的应用
中使用多种设备。 该封装设计用于气相，红外或波峰焊技术。
最大绝对额定值
|
|
Symbol |
Maximum |
Units |
||
|
N-Channel |
P-Channel |
||||
|
Drain-Source Voltage |
VOS |
20 |
-20 |
|
|
|
Gate-Source Voltage |
VGS |
士 12 |
|||
|
Continuous Drain Current(i) |
TA = 25°C |
|
6.6 |
-5.3 |
A |
|
TA = 70°C |
5.3 |
-4.3 |
|||
|
Pulsed Drain Current |
IOM |
26 |
-21 |
||
|
Continuous Source Current (Diode Conduction) |
IS |
2.5 |
-2.5 |
||
|
Maximum Power Dissipation (i) |
TA = 25°C |
|
2.0 |
w |
|
|
TA = 70°C |
1.3 |
||||
|
Single Pulse Avalanche Energy |
EAS |
100 |
150 |
mJ |
|
|
Avalanche Current |
IAR |
4.1 |
-2.9 |
A |
|
|
Repetitive Avalanche Energy |
EAR |
0.20 |
mJ |
||
|
Peak Diode Recovery dv/dt 0 |
dv/dt |
5.0 |
-5.0 |
V/ ns |
|
|
Junction and Storage Temperature Range |
TJ, TSTG |
-55 to + 150 °C |
|
||
IRF7317TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
