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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SOT-223-4
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:55 V
Id-连续直流电流:3.8 A
Rds上漏源导通电阻:65毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:16 V
Qg-血浆甲醛:32 nC
Pd-功率耗散:2.1 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1.6毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:3.5毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFET
零件号别名:IRLL2705TRPBF SP001558266
单位重量:112毫克
特征
•表面贴装
•动态dv / dt评级
•逻辑级门驱动
•快速切换
•轻松并行
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术,以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件,可广泛用于各种应用中。
SOT-223封装专为使用气相,红外或波峰焊技术进行表面安装而设计。 与其他SOT或SOIC封装一样,其独特的封装设计可轻松实现自动拾取和放置,但由于散热片的凸片尺寸较大,因此具有改进的热性能的额外优势。 在典型的表面贴装应用中,功耗可能为1.0W。
最大绝对额定值
|
Parameter |
Max. |
Units |
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V** |
5.2 |
A |
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V* |
3.8 |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V* |
3.0 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
30 |
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation (PCB Mount)** |
2.1 |
W |
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation (PCB Mount)* |
1.0 |
W |
|
Linear Derating Factor (PCB Mount)* |
8.3 |
mW/°C |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
士 16 |
V |
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy0 |
110 |
mJ |
IAR |
Avalanche CurrentCD |
3.8 |
A |
EAR |
Repetitive Avalanche EnergyCD |
0.10 |
mJ |
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt CT |
7.5 |
V/ns |
TJ, TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
IRLL2705TRPBF
IR
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装