IRFH5304TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：PQFN-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：79 A
Rds上漏源导通电阻：4.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：16 nC
Pd-功率耗散：3.6 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.83毫米
长度：6 mm
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFH5304TRPBF SP001564156
应用领域
用于降压转换器的控制MOSFET

特征
低电量（典型值为16nC）
低热阻PCB（<2.7°C / W）
已通过100％汞测试
薄型（<0.9毫米）
行业标准引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
MSL1，工业资格

好处
降低开关损耗
功率密度增加
可靠性更高
功率密度增加
多厂商兼容性
易于制造
环保
可靠性更高
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	30	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
I_D @ T_A = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	22	A
ID @ TA = 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	17
ID @ T C( Bottom) = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	79
ID @ T C( Bottom) = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	50
IDM	Pulsed Drain Current Q)	320
P_D @T _A = 25°C	Power Dis sipation CT	3.6	W
PD @ TC( Bottom) = 25°C	Power Dis sipation CT	46	W
	Linear Derating Factor CT	0.029	W/°C
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C

型号/规格

IRFH5304TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

PQNF-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装