IRF200B211 MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:200 V
Id-连续直流电流:12 A
Rds上漏源导通电阻:170毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Qg-血浆甲醛:15.3 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:80 W
通道模式:增强
商标名:StrongIRFET
封装:Tube
配置:单
高度:15.65毫米
长度:10毫米
宽度:4.4毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-对抗:13 S
下降时间:6.5 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:9.5 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:11.3 ns
典型起始延迟时间:6.5 ns
零件号别名:IRF200B211 SP001561622
单位重量:2.300克
应用
有刷电机驱动器应用
BLDC电机驱动器应用
电池供电电路
半桥和全桥拓扑
同步整流器应用
谐振模式电源
DC / DC和AC / DC转换器
DC / AC逆变器
好处
改进的Gate,雪崩和动态dV / dt坚固性
全面表征的电容和雪崩SOA
增强的体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅*符合RoHS,无卤素

最大绝对额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

12

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

9.0

IDM

Pulsed Drain Current

34

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

80

W

 

Linear Derating Factor

0.53

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

TJ

TSTG

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)

300

 

Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw

10 lbf·in (1.1 N·m)

型号/规格

IRF200B211

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装