IRF200B211 MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：200 V
Id-连续直流电流：12 A
Rds上漏源导通电阻：170毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：3 V
Qg-血浆甲醛：15.3 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：80 W
通道模式：增强
商标名：StrongIRFET
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-对抗：13 S
下降时间：6.5 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：9.5 ns
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：11.3 ns
典型起始延迟时间：6.5 ns
零件号别名：IRF200B211 SP001561622
单位重量：2.300克
应用
有刷电机驱动器应用
BLDC电机驱动器应用
电池供电电路
半桥和全桥拓扑
同步整流器应用
谐振模式电源
DC / DC和AC / DC转换器
DC / AC逆变器
好处
改进的Gate，雪崩和动态dV / dt坚固性
全面表征的电容和雪崩SOA
增强的体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅*符合RoHS，无卤素
最大绝对额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
12 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
9.0 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current ‚ |
34 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
80 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.53 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
|
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw |
10 lbf·in (1.1 N·m) |
|
IRF200B211
IR
TO-247
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
