IRFS4229TRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：250 V
Id-连续直流电流：45 A
Rds上漏源导通电阻：48毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：30 V
Qg-血浆甲醛：72 nC
最小工作温度：-40 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：330 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：83 S
下降时间：21 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：31 ns
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：30 ns
典型起始延迟时间：18 ns
零件号别名：IRFS4229TRLPBF SP001557392
单位重量：4 g
特征
•先进的工艺技术
•针对PDP维持，能量回收和通道切换应用优化的关键参数
•低EPULSE额定值，以减少PDP维持，能量回收和通行开关应用中的功耗
•低质量保证，快速响应
•高重复峰值电流能力，确保可靠运行
•缩短下降和上升时间以实现快速切换
•175°C的工作结温，以提高坚固性
•重复的雪崩能力，具有坚固性和可靠性

描述
这款HEXFET®功率MSFET专为Sustain设计。 

等离子显示面板中的能量回收和通过开关应用。

 该MOSFET利用最新的处理技术来实现较低

的每硅面积导通电阻和低EPULSE额定值。 

该MOSFET的其他功能是175°C的工作结温和

高重复峰值电流能力。 这些特性相结合，

使该MOSFET成为用于PDP驱动应用的高效，坚固和可靠的器件。