IRFU120NPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-251-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：9.1 A
Rds上漏源导通电阻：210毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：16.7 nC
Pd-功率耗散：39 W
封装：Tube
配置：单
高度：6.22毫米
长度：6.73 mm
晶体管类型：1 N沟道
宽度：2.38毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFU120NPBF SP001557678
单位重量：4 g
特征

表面安装（IRFR120N）
直导线（RFU120N）
先进工艺技术
快速切换
完全雪崩额定值
无铅

描述

第五代HEXFET SFfrom I I nternational整流器

利用先进的处理技术，实现每硅面积的最小电阻。

它的优点，加上HEXFET功率mosfet众所周知的

快速开关速度和加固的器件设计，为设计人员

提供了一种非常高效的器件，可用于多种应用中。

D-PAK设计用于使用气相、红外或波峰焊接技术

的表面安装。直引线版本（用于通孔安装的IRFU系列）。

在典型的表面贴装应用中，功耗水平可达到1.5瓦。

绝对最大额定值sparametermaxunitsip 0 Tc=25C

连续漏极电流，Vs 10v9.4Ip e Tc=100连续漏极电流，

Vos 2 10v6.6脉冲漏极电流O16POOTC-25C功耗线

性降额系数0.32AWFvVCgate-to-source Vtage±20

单脉冲雪崩能量（6MJAvalanche电流（67重复雪崩

能量YO 6dv/at峰值二极管恢复diat 3>5.0V/n工作结

和存储温度范围焊接温度）。对于10秒300

（1.6mm ftom机箱热阻参数maxUnitsFunction-to-case3.r 

Function-to-ambient（PCB安装）克拉荷根-环境110°C。