IRL7486MTRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:DirectFET-ME
晶体管极性:N沟道
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续直流电流:209 A
漏源导通电阻:2 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Qg-萘甲酸:76 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:104 W
通道模式:增强
商标名:StrongIRFET
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:0.7毫米
长度:6.35毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:5.05毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-预期:427 S
下降时间:47 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:110 ns
工厂包装数量:4800
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:54 ns
典型起始延迟时间:35 ns
零件号别名:IRL7486MTRPBF SP001567046

应用
有刷电机驱动应用
BLDC电机驱动应用
电池供电电路
半桥和全桥拓扑
同步整流器的应用
谐振模式电源
ORing和冗余电源开关
DC/ DC和AC / DC转换器
DC/ AC逆变器
好处
针对逻辑电平驱动进行了优化
改进了Gate,雪崩和动态dv / dt坚固性
完全表征的电容和雪崩SOA
增强体二极管dv / dt和di / dt能力
无铅,符合RoHS标准

最大绝对额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

209

 

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

132

IDM

Pulsed Drain Current 

836

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

104

W

 

Linear Derating Factor

0.83

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

型号/规格

IRL7486MTRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

DIRECTFET

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装