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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-247-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续直流电流:195 A
Rds漏源导通电阻:2.5毫欧
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-萘甲酸:300 nC
Pd-功率耗散:375 W
封装:Tube
配置:单
高度:20.7毫米
长度:15.87毫米
MOSFET晶体管类型:1 N沟道
宽度:5.31毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-对抗:280 S
下降时间:189 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:182 ns
工厂包装数量:400
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:118 ns
典型起始延迟时间:16 ns
零件号别名:IRFP3006PBF SP001556714
单位重量:38 g
应用领域
SMPS中的高效同步整流
不间断电源
高速电源开关
硬开关和高频电路
好处
改进了Gate,雪崩和动态dV / dt坚固性
全面表征的电容和雪崩SOA
增强的体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅
最大绝对额定值
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
270 |
A |
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V(Silicon Limited) |
190 |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited) |
195 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current ‚ |
1080 |
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
375 |
W |
|
Linear Derating Factor |
2.5 |
W/°C |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
dv/dt |
Peak Diode Recovery „ |
10 |
V/ns |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10lbfŸin (1.1NŸm) |
|
Symbol |
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
RqJC |
Junction-to-Case ˆ |
––– |
0.4 |
°C/W |
RqCS |
Case-to-Sink, Flat Greased Surface |
0.24 |
––– |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient |
––– |
40 |
IRFP3006PBF
IR
TO-247
无铅环保型
直插式
卷带编带包装