IRFP3006PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-247-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续直流电流:195 A
Rds漏源导通电阻:2.5毫欧
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-萘甲酸:300 nC
Pd-功率耗散:375 W
封装:Tube
配置:单
高度:20.7毫米
长度:15.87毫米
MOSFET晶体管类型:1 N沟道
宽度:5.31毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-对抗:280 S
下降时间:189 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:182 ns
工厂包装数量:400
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:118 ns
典型起始延迟时间:16 ns
零件号别名:IRFP3006PBF SP001556714
单位重量:38 g
应用领域
SMPS中的高效同步整流
不间断电源
高速电源开关
硬开关和高频电路
好处
改进了Gate,雪崩和动态dV / dt坚固性
全面表征的电容和雪崩SOA
增强的体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅

最大绝对额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

270

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V(Silicon Limited)

190

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited)

195

IDM

Pulsed Drain Current

1080

 

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

375

W

 

Linear Derating Factor

2.5

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

dv/dt

Peak Diode Recovery

10

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)

300

 

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

10lbfŸin (1.1NŸm)

热阻

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJC

Junction-to-Case ˆ

–––

0.4

 

°C/W

RqCS

Case-to-Sink, Flat Greased Surface

0.24

–––

RqJA

Junction-to-Ambient

–––

40

型号/规格

IRFP3006PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装