IRG4PC50UPBF IGBT晶体管 ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:IGBT晶体管
RoHS:详细信息
技术:Si
封装/箱体:TO-247-3
安装风格:通孔
配置:单
集电极—发射极最大电压VCEO:600 V
集电极—射极饱和电压:2 V
正极/发射极最大电压:20 V
在25 C的连续集电极电流:55 A
Pd-功率耗散:200 W
IGBT晶体管最小工作温度:-55 C
IGBT晶体管最大工作温度:+ 150 C
封装:Tube
集电极最大连续电流Ic:27 A
高度:20.7毫米(最大)
长度:15.87毫米(最大)
宽度:5.31毫米(最大)
商标:Infineon / IR
正极—射极漏泄电流:100 nA
产品类型:IGBT晶体管
工厂包装数量:400
子类别:IGBT
零件号别名:IRG4PC50UPBF SP001547878
单位重量:38 g

特征
•UltraFast:针对高运行进行了优化
  硬切换时的频率8-40 kHz,> 200
  共振模式下的kHz
•第4代IGBT设计提供更紧密的性能
  参数分布和效率高于
  第三代
•工业标准TO-247AC封装
•第4代IGBT可提供最高的效率
•IGBT针对特定应用条件进行了优化
•设计为等效的“替代”替代品
  行业标准的第三代IR IGBT

最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

VCES

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

600

V

IC @ TC = 25°C

Continuous Collector Current

55

A

IC @ TC = 100°C

Continuous Collector Current

27

ICM

Pulsed Collector Current CD

220

ILM

Clamped Inductive Load Current ai

220

VGE

Gate-to-Emitter Voltage

± 20

V

EARV

Reverse Voltage Avalanche Energy ®

20

mJ

PD @ TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

200

W

PD @ TC = 100°C

Maximum Power Dissipation

78

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 150

°C

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (0.063 in. (1.6mm from case )

Mounting torque, 6-32 or M3 screw.

10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRG4PC50UPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装