IRG4PC50UPBF IGBT晶体管 ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：IGBT晶体管
RoHS：详细信息
技术：Si
封装/箱体：TO-247-3
安装风格：通孔
配置：单
集电极—发射极最大电压VCEO：600 V
集电极—射极饱和电压：2 V
正极/发射极最大电压：20 V
在25 C的连续集电极电流：55 A
Pd-功率耗散：200 W
IGBT晶体管最小工作温度：-55 C
IGBT晶体管最大工作温度：+ 150 C
封装：Tube
集电极最大连续电流Ic：27 A
高度：20.7毫米（最大）
长度：15.87毫米（最大）
宽度：5.31毫米（最大）
商标：Infineon / IR
正极—射极漏泄电流：100 nA
产品类型：IGBT晶体管
工厂包装数量：400
子类别：IGBT
零件号别名：IRG4PC50UPBF SP001547878
单位重量：38 g

特征
•UltraFast：针对高运行进行了优化
硬切换时的频率8-40 kHz，> 200
共振模式下的kHz
•第4代IGBT设计提供更紧密的性能
参数分布和效率高于
第三代
•工业标准TO-247AC封装
•第4代IGBT可提供最高的效率
•IGBT针对特定应用条件进行了优化
•设计为等效的“替代”替代品
行业标准的第三代IR IGBT

最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
VCES	Collector-to-Emitter Breakdown Voltage	600	V
I_C @ T_C = 25°C	Continuous Collector Current	55	A
I_C @ T_C = 100°C	Continuous Collector Current	27
ICM	Pulsed Collector Current CD	220
ILM	Clamped Inductive Load Current ai	220
VGE	Gate-to-Emitter Voltage	± 20	V
EARV	Reverse Voltage Avalanche Energy ®	20	mJ
P_D @ T_C = 25°C	Maximum Power Dissipation	200	W
P_D @ T_C = 100°C	Maximum Power Dissipation	78	W
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (0.063 in. (1.6mm from case )	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw.	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRG4PC50UPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装