IRLML0030TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SOT-23-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：5.3 A
Rds漏源导通电阻：27毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：10 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1.3 V
Qg-萘甲酸：2.6 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：1.3 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.1毫米
长度：2.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：1.3毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：9.5 s
下降时间：4.4 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：4.4 ns
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：7.4 ns
典型起始延迟时间：5.2 ns
零件号别名：IRLML0030TRPBF SP001568604
单位重量：42毫克
应用程序
负载/系统开关

特征

低RDS（on）（27mΩ）
行业标准的引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
MSL1，工业认证
好处

降低开关损耗
多厂商兼容性
易于制造
环保的
可靠性更高
最大绝对额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-Source Voltage	30	V
I_D @ T_A = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	5.3	A
I_D @ T_A = 70°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	4.3
IDM	Pulsed Drain Current	21
P_D @T_A = 25°C	Maximum Power Dissipation	1.3	W
P_D @T_A = 70°C	Maximum Power Dissipation	0.8	W
	Linear Derating Factor	0.01	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
TJ, TSTG	Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C

热阻

Symbol	Parameter	Typ.	Max.	Units
RqJA	Junction-to-Ambient CT	–––	100	°C/W
RqJA	Junction-to-Ambient (t<10s) ©	–––	99	°C/W

型号/规格

IRLML0030TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOT-23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装