IRFP048NPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：64 A
Rds上漏源导通电阻：16毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-血浆甲醛：89 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：140 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：单
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
晶体管类型：1 N沟道
类型：HEXFET功率MOSFET
宽度：5.31毫米
商标：Infineon Technologies
正向跨导-预期：22 S
下降时间：48 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：78 ns
工厂包装数量：400
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：32 ns
典型起始延迟时间：11 ns
零件号别名：SP001567000
单位重量：38 g
特征

先进工艺技术
动态dv/dt额定值
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩额定值
无铅

说明
第五代HEXFET sfrominternational采用先进的工艺技术，

使每片硅面积的导通电阻达到极低水平。这一优点，

加上HEXFET功率mosfet众所周知的快速开关速度和坚固

的开发设计，为设计人员提供了一种非常高效和可靠的设备，

可用于多种应用。在功率水平较高的商业工业应用中，

最好使用TO-247封装至-220设备。TO-247与早期的

TO-218封装相似，但由于其独立的安装孔而优于早期的TO-218封装。

绝对最大额定值sparametermaxunitsid Tc=25C连续漏极电流，

Ves 10V64IID To=100C连续漏极电流，Vos@10V脉冲漏极电流

○210Pb②Tc=25°I功耗WECGate至源电压±20V单脉冲雪崩能量

S270雪崩电流⑤重复雪崩能量ODV/dtPeak二极管恢复dv/dt③⑤5.0V/N

工作结和-55至+175存储温度范围C焊接温度，对于10秒300

1.6毫米，距离安装套管，6-32或M3 sre10 bfin11NM热阻

参数最大单位1.1箱对箱润滑表面0.24与环境的关系。