IRF6646TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：DirectFET-MN
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：80 V
Id-连续直流电流：12 A
Rds上漏源导通电阻：7.6毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：36 nC
最小工作温度：-40 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：89 W
通道模式：增强
商标名：DirectFET
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.7毫米
长度：6.35毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.05毫米
商标：Infineon / IR
下降时间：12 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：20 ns
工厂包装数量：4800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：31 ns
典型中断时间：17 ns
零件号别名：IRF6646TRPBF SP001564784
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	80	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	±20	V
ID @ T_A = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V G)	12	A
ID @ T_A = 70°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V G)	9.6
ID @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V @	68
IDM	Pulsed Drain Current �	96
EAS	Single Pulse Avalanche Energy ®	230	mJ
IAR	Avalanche Current �	7.2	A

热阻

	Parameter	Typ.	Max.	Units
RqJA	Junction-to-Ambient CT0	–––	45	°C/W
RqJA	Junction-to-Ambient ®0	12.5	–––
RqJA	Junction-to-Ambient ®0	20	–––
RqJC	Junction-to-Case ®0	–––	1.4
RqJ-PCB	Junction-to-PCB Mounted	1.0	–––
	Linear Deratinig Factor CT	0.022

雪崩特性

	Parameter	Max.	Units
PD @T_A = 25°C	Power Dissipation CT	2.8	W
PD @T_A = 70°C	Power Dissipation CT	1.8
PD @T_C = 25°C	Power Dissipation ®	89
TP	Peak Soldering Temperature	270	°C
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-40 to + 150	°C

型号/规格

IRF6646TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

DIRECTFET

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装