IRFL4315TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SOT-223-4
晶体管极性:N沟道
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:150 V
Id-连续直流电流:2.6 A
Rds上漏源导通电阻:185毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:30 V
Qg-血浆甲醛:12 nC
Pd-功率耗散:2.8 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1.6毫米
长度:6.5毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:3.5毫米
商标:Infineon Technologies
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFL4315TRPBF SP001556696
单位重量:112毫克

应用领域
•高频DC-DC转换器
好处
•低栅极至漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容,包括有效的COSS来简化设计,(请参见应用笔记AN1001)
•全面表征雪崩电压和电流
•无铅
最大绝对额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

2.6

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

2.1

IDM

Pulsed Drain Current CD

21

PD @TA = 25°C

Power Dissipation©

2.8

W

 

Linear Derating Factor

0.02

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 30

V

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt ®

6.3

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 150

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case )

热阻

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJA

Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)©

–––

45

°C/W

雪崩特性

Parameter

Typ.

Max.

Units

EAS

Single Pulse Avalanche Energy0

–––

38

mJ

IAR

Avalanche CurrentCD

–––

3.1

A

型号/规格

IRFL4315TRPBF

品牌/商标

IR

封装形式

SOT-223

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装