IRFB812PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：500 V
Id-连续直流电流：3.6 A
Rds上漏源导通电阻：1.75 Ohms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：13.3 nC
Pd-功率耗散：78 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
MOSFET晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFB812PBF SP001563948
单位重量：6 g

应用领域
零电压开关SMPS
不间断电源
电机控制应用
特点和优点
快速体二极管消除了ZVS应用中对外部二极管的需求。
较低的栅极电荷可简化驱动要求。
更高的栅极电压阈值可提高抗干扰能力。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	3.6	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ 10V	2.3
IDM	Pulsed Drain Current CD	14.4
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	78	W
	Linear Derating Factor	0.63	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt ®	32	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw	10lb"in (1.1N"m)

热阻

Symbol	Parameter	Typ.	Max.	Units
RqJC	Junction-to-Case®	–––	1.6	°C/W
RqCS	Case-to-Sink, Flat, Greased Surface	0.5	–––
RqJA	Junction-to-Ambient®	–––	62

型号/规格

IRFB812PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装