IRF8721TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：14 A
漏源导通电阻：12.5 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：8.3 nC
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF8721TRPBF SP001577624
单位重量：540毫克
应用领域
•用于笔记本处理器电源的同步降压转换器的控制MOSFET
•用于网络系统中隔离式DC-DC转换器的控制MSFET
好处
•极低的栅极电荷
•VDS为4.5V时RDS（on）低
•低门阻抗
•全面表征雪崩电压和电流
•最大20V VGS。 门额定值
•无铅
描述
IRF8721PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术整合到了行业标准的SO-8封装中。
IRF8721PbF已针对同步降压操作中至关重要的参数（包括Rds（on）和栅极电荷）
进行了优化，以降低传导和开关损耗。 减少的总损耗使该产品成为为笔记本电脑
和网通最新一代处理器供电的高效DC-DC转换器的理想选择应用程序。
最大绝对额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
30 |
V |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
|
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
14 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
11 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current G) |
110 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
2.5 |
W |
|
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation |
1.6 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
0.02 |
W/°C |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
IRF8721TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
